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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
比较
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
总分
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
14.6
13.7
写入速度,GB/s
7.8
9.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2207
2471
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
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