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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.2
17.5
写入速度,GB/s
8.5
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
3550
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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