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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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更快的读取速度,GB/s
16
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
26
读取速度,GB/s
14.2
16.0
写入速度,GB/s
8.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2793
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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