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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.2
16.6
写入速度,GB/s
8.5
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
3050
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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