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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
51
读取速度,GB/s
14.2
10.4
写入速度,GB/s
8.5
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2387
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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