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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
14.2
15.4
写入速度,GB/s
8.5
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2277
2713
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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