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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
比较
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
总分
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
6.4
18.5
写入速度,GB/s
6.7
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1632
3475
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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