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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
比较
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Jinyu 16GB
总分
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
总分
Jinyu 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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需要考虑的原因
Jinyu 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
42
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
21
读取速度,GB/s
6.4
17.3
写入速度,GB/s
6.7
12.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1632
3209
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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