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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
21
读取速度,GB/s
9.1
18.1
写入速度,GB/s
9.9
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
3087
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
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