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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比较
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
总分
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
9.1
13.5
写入速度,GB/s
9.9
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2279
2389
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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