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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
76
左右 61% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
76
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
6.4
8.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
1809
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM的比较
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 5641160 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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