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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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规格
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
9.8
18.5
写入速度,GB/s
6.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
3593
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
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