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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
38
读取速度,GB/s
9.8
13.3
写入速度,GB/s
6.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2277
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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