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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
总分
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
6.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
42
读取速度,GB/s
9.8
15.7
写入速度,GB/s
6.4
12.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1927
2352
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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