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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
比较
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
总分
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
70
左右 -133% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
30
读取速度,GB/s
6.5
15.2
写入速度,GB/s
4.6
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1264
2355
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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