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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
70
左右 -106% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
6.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
34
读取速度,GB/s
6.5
16.4
写入速度,GB/s
4.6
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1264
2616
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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