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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
6.4
18.4
写入速度,GB/s
3.7
17.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3738
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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