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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

总分
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

总分
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 69
    左右 -156% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    16.8 left arrow 3.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    6.4 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    3.7 left arrow 16.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1129 left arrow 3731

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较

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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston KY7N41-MID 8GB
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