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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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规格
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
6.4
16.8
写入速度,GB/s
3.7
11.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2851
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
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