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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
差异
规格
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差异
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
6.4
19.6
写入速度,GB/s
3.7
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
3879
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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