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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Kingston 9905663-008.A00G 16GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
6.4
14.7
写入速度,GB/s
3.7
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2815
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB RAM的比较
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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