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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
69
左右 -44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
48
读取速度,GB/s
6.4
11.6
写入速度,GB/s
3.7
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2466
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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