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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
比较
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
总分
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
总分
Super Talent F21UB8GS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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需要考虑的原因
Super Talent F21UB8GS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
6.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
3.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
6.4
14.0
写入速度,GB/s
3.7
7.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1129
2200
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB RAM的比较
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Super Talent F21UB8GS 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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