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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
7.9
17.0
写入速度,GB/s
7.8
14.6
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3422
Kingston 9965662-016.A00G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
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