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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
比较
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
60
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
60
读取速度,GB/s
7.9
14.9
写入速度,GB/s
7.8
12.0
内存带宽,mbps
17000
25600
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2511
Kingston 9965662-016.A00G 16GB RAM的比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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