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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
比较
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
总分
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
24
读取速度,GB/s
13.9
15.0
写入速度,GB/s
8.9
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2238
2333
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99P5471-002.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
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