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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

总分
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

总分
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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 29
    左右 7% 更低的延时
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB 需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1936 left arrow 2708

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
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内存RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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