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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
11.2
14.9
写入速度,GB/s
7.1
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1936
2589
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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