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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
37
读取速度,GB/s
4,482.7
14.8
写入速度,GB/s
1,769.9
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2751
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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