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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.7
18.3
写入速度,GB/s
9.8
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
3736
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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