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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
15.7
14.1
写入速度,GB/s
9.8
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2640
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
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