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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
比较
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
总分
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
37
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
29
读取速度,GB/s
13.4
20.0
写入速度,GB/s
8.4
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2294
3559
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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