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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
比较
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
38
读取速度,GB/s
13.4
16.5
写入速度,GB/s
8.4
10.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2294
2829
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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