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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
13.3
11.6
写入速度,GB/s
8.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
2466
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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