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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
比较
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
总分
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
总分
AMD R744G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
76
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2606U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
76
读取速度,GB/s
12.2
15.7
写入速度,GB/s
8.2
8.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2128
1809
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB RAM的比较
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Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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