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Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
12.8
14.7
写入速度,GB/s
8.6
11.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2187
2698
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-033.D00G 16GB
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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