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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Kingston 9905668-001.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
70
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
70
读取速度,GB/s
12.2
9.0
写入速度,GB/s
7.2
6.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
1363
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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