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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
46
读取速度,GB/s
12.2
16.0
写入速度,GB/s
7.2
12.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
2660
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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