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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    42 left arrow 45
    左右 7% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    12.2 left arrow 12
    测试中的平均数值
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 7.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    12.2 left arrow 12.0
  • 写入速度，GB/s
    7.2 left arrow 7.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2063 left arrow 1939

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB RAM的比较

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Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905678-007.A00G 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
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内存RAM
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Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston 9905625-066.A00G 16GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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