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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
比较
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.2
14.7
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2063
2935
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
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