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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB vs Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
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Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
80
左右 -196% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
5.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
3.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
80
27
读取速度,GB/s
5.9
18.5
写入速度,GB/s
3.4
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
968
3873
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
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