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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
比较
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
总分
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
80
左右 -233% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
5.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
3.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
80
24
读取速度,GB/s
5.9
15.3
写入速度,GB/s
3.4
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
968
2744
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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