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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
75
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
43
读取速度,GB/s
3,986.4
11.3
写入速度,GB/s
2,036.1
9.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2098
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
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