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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
75
左右 -83% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
41
读取速度,GB/s
3,986.4
16.3
写入速度,GB/s
2,036.1
13.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3146
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
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