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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
75
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
34
读取速度,GB/s
3,986.4
15.7
写入速度,GB/s
2,036.1
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
3153
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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