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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
75
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
25
读取速度,GB/s
3,986.4
20.1
写入速度,GB/s
2,036.1
16.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
4060
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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