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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston 9905678-173.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
75
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
4.7
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
38
读取速度,GB/s
3,986.4
10.4
写入速度,GB/s
2,036.1
4.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
1672
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
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