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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
75
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
37
读取速度,GB/s
3,986.4
17.9
写入速度,GB/s
2,036.1
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2898
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
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