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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
75
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,036.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
39
读取速度,GB/s
3,986.4
13.7
写入速度,GB/s
2,036.1
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2364
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
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