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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
比较
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
总分
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,036.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
75
左右 -56% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
48
读取速度,GB/s
3,986.4
11.7
写入速度,GB/s
2,036.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
714
2568
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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